Samsung znów przed konkurencją - Toggle DDR2 NAND flash
Niespełna kilka miesięcy temu Toshiba i Samsung poinformowali o pracach nad pamięciami NAND flash Toggle DDR2, a już południowokoreański producent chwali się, że rozpoczął je produkować. I jest się z czego cieszyć, bo postęp jest większy, niż mogłoby się wydawać, a skorzystają na tym niemal wszyscy!
Wykonane w 2x nm procesie litograficznym moduły są w stanie zmagazynować 64 Gb (8 GB) danych i mają przepustowość rzędu 400 Mbps (50 MB/s), a więc trzykrotnie większą niż obecnie stosowane kości z interfejsem Toggle DDR1 i aż 10-krotnie więcej w stosunku do pamięci SDR NAND.
Na chwilę obecną Samsung oferuje więc najbardziej zaawansowane rozwiązania w segmencie pamięci Toggle DDR NAND. Szybsze i mające większą pojemność kości trafią już niebawem do dysków SSD, smartfonów, tabletów i innych urządzeń korzystajacych z tego typu pamięci masowych.
I znów trzeba będzie wprowadzić nową, szybszą wersję SATA, bo obecna może nie być w stanie obsłużyć kolejnej generacji SSD. Już obecna jest niemal dwukrotnie szybsza od popzedniej i np. taki OCZ Vertex 3 wykorzystuje przepustowość interfejsu SATA 6.0 Gbps w ok. 70%…
(gadzetomania.pl)
Brak komentarzy:
Prześlij komentarz